ROHM开发出采用4引脚封装的SiC MOSFET “SCT3xxx xR”系列

来源:ROHM Semiconductor
2019/09/25
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SiC功率MOSFET

ROHM开发出采用4引脚封装的SiC MOSFET “SCT3xxx xR”系列


2019年9月24日

全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都),开发出6款沟槽栅结构※1)SiC MOSFET “SCT3xxx xR系列”产品(650V/1200V耐压),非常适用于要求高效率的服务器用电源、太阳能逆变器及电动汽车的充电站等。


此次新开发的系列产品采用4引脚封装(TO-247-4L),可充分地发挥出SiC MOSFET本身的高速开关性能。与以往3引脚封装(TO-247N)相比,开关损耗可降低约35%,非常有助于进一步降低各种设备的功耗。


另外,罗姆也已开始供应SiC MOSFET评估板“P02SCT3040KR-EVK-001”,该评估板中配置有非常适用于SiC元器件的驱动的ROHM栅极驱动器IC(BM6101FV-C)、各种电源IC及分立产品,可为客户提供轻松进行元器件评估的解决方案。

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近年来,随着AI和IoT的发展与普及,对云服务的需求日益增加,与此同时,在全球范围对数据中心的需求也随之增长。数据中心所使用的服务器正在向大容量、高性能方向发展,而如何降低功耗量就成为一个亟需解决的课题。另一方面,以往服务器的功率转换电路中,主要采用的是硅(Si)元器件,如今,损耗更低的SiC元器件被寄予厚望。特别是采用了TO-247-4L封装的SiC MOSFET,与以往封装相比,可降低开关损耗,因此有望应用于服务器、基站、太阳能发电等高输出应用中。


2015年,ROHM于全球第一家成功实现沟槽栅结构SiC MOSFET的量产,并一直致力于领先于行业的产品开发。此次新开发出650V/1200V耐压的低损耗SiC MOSFET,未来也会继续推进创新型元器件的开发,同时提供包括非常适用于SiC驱动的栅极驱动器IC等在内的解决方案,为进一步降低各种设备的功耗贡献力量。 


特征

采用4引脚封装(TO-247-4L),开关损耗降低约35%

在传统的3引脚封装(TO-247N)中,源极引脚的电感分量※2)会引起栅极电压下降,并导致开关速度延迟。
此次,SCT3xxx xR系列所采用的4引脚封装(TO-247-4L),可以分离电源源极引脚和驱动器源极引脚,因此,可减少电感分量的影响。这样,能够充分地发挥出SiC MOSFET的高速开关性能,尤其是可以显著改善导通损耗。与以往产品相比,导通损耗和关断损耗合起来预计可降低约35%的损耗。


应用

  • 服务器

  • 基站

  • 太阳能逆变器

  • 蓄电系统

  • 电动汽车的充电站


    产品阵容

    采用开尔文源连接的第三代TO-247-4L封装(NEW)

    图片制造商零件编号描述查看详情
    20190917134210_614.png20190917134517_323.jpgSCT3040KRC141200V NCH SIC TRENCH MOSFET IN 4查看详情
    20190917134410_710.png20190917134613_467.jpgSCT3080KRC141200V NCH SIC TRENCH MOSFET IN 4查看详情
    20190917135210_562.png20190917134613_467.jpgSCT3105KRC141200V NCH SIC TRENCH MOSFET IN 4查看详情
    20190917135220_444.png20190917134613_467.jpgSCT3030ARC14采用4P的650V NCH SIC TRENCH MOSFET查看详情
    20190917135226_927.png20190917134613_467.jpgSCT3060ARC14采用4P的650V NCH SIC TRENCH MOSFET查看详情
    20190917135234_425.png20190917134613_467.jpgSCT3080ARC14采用4P的650V NCH SIC TRENCH MOSFET查看详情


    品名漏极-源极间
    电压
    VDS[V]
    漏极-源极间
    导通电阻
    RDS(on)@25℃
    [mΩ(typ.)]
    漏极电流
    ID@25℃
    [A]
    漏极损耗
    PD [W]
    工作温度范围
    [℃]
    封装

    SCT3030AR
    6503070262-55~+175TO-247-4L

    SCT3060AR
    6039165

    SCT3080AR
    8030134

    SCT3040KR
    12004055262

    SCT3080KR
    8031165

    SCT3105KR
    10524134


    应用

    服务器、基站、太阳能逆变器、蓄电系统、电动汽车的充电站等。


    评估板信息

    SiC MOSFET评估板“P02SCT3040KR-EVK-001”中配备了非常适用于SiC元器件驱动的ROHM栅极驱动器IC(BM6101FV-C)、各种电源IC及分立产品,可轻松进行元器件的评估。为了提供在同一条件下的评估环境,该评估板不仅可以评估TO-247-4L封装的产品,还可安装并评估TO-247N封装的产品。另外,使用该评估板,可进行双脉冲测试、Boost电路、两电平逆变器、同步整流型Buck电路等评估。


    支持页面   https://www.rohm.com.cn/power-device-support


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    术语解说

    • ※1  沟槽栅结构

    • 沟槽(Trench)意为凹槽。是在芯片表面形成凹槽,并在其侧壁形成MOSFET栅极的结构。不存在平面型MOSFET在结构上存在的JFET电阻,比平面结构更容易实现微细化,有望实现接近SiC材料原本性能的导通电阻。

    • ※2  电感分量

    • 表示电流变化时由电磁感应产生的电动势大小的量。


    相关信息

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